Transistor a canale N IRF7317TRPBF, SO8, 30V/-30V

Qnéuantità

Prezzo unitario

1-9

1.80€

10-99

1.50€

100-999

1.38€

1000+

1.09€

Quantità in magazzino: 351

Transistor a canale N IRF7317TRPBF, SO8, 30V/-30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Capacità del gate Ciss [pF]: 900/780pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 6.6A / -5.3A. Marcatura del produttore: F7317. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 57/63 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12/22 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:24

IRF7317TRPBF

15 parametri

Alloggiamento

SO8

Tensione drain-source Uds [V]

30V/-30V

Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]

0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A

Capacità del gate Ciss [pF]

900/780pF

Configurazione

componente a montaggio superficiale (SMD)

Dissipazione massima Ptot [W]

1.3W

Famiglia di componenti

MOSFET, N-MOS, P-MOS

ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C

6.6A / -5.3A

Marcatura del produttore

F7317

Numero di terminali

8:1

Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]

57/63 ns

RoHS

sì

Temperatura massima

+150°C.

Tempo di accensione ton [nsec.]

12/22 ns

Prodotto originale del produttore

Infineon