Transistor a canale N IRF7313, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 22nC. DRUCE CORRENTE: 6.5A. Equivalenti: IRF7313PBF. Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 8:1. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Quantità per scatola: 2. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 30V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27