Transistor a canale N IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v
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Transistor a canale N IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. Idss (massimo): 25uA. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 16.7nC. DRUCE CORRENTE: 4.9A. Funzione: 0.05R. ID (min): 1uA. Id(imp): 20A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Quantità per scatola: 2. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì. Tecnologia: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 30V. Tipo di canale: N. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27