Transistor a canale N IRF7103TRPBF, SO8
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.36€
5-9
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10-19
0.71€
20-49
0.63€
50+
0.58€
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Transistor a canale N IRF7103TRPBF, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 12nC. DRUCE CORRENTE: 3A. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 50V. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:22
IRF7103TRPBF
12 parametri
Alloggiamento
SO8
Assemblaggio/installazione
SMD
Carica
12nC
DRUCE CORRENTE
3A
Polarità
unipolari
Potenza
2W
Resistenza termica
62.5K/W
RoHS
sì
Tecnologia
HEXFET®
Tensione di gate-source
20V, ±20V
Tensione drain-source
50V
Prodotto originale del produttore
Infineon (irf)