Transistor a canale N IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB
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Prezzo unitario
5-9
1.02€
10-49
0.93€
50-249
0.83€
250-1049
0.76€
1050+
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Transistor a canale N IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. Alloggiamento: TO220AB. Caratteristiche: -. Corrente di assorbimento massima: 33A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 33A. Informazioni: -. MSL: -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Polarità: MOSFET N. Potenza: 130W. Serie: -. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:35
IRF540NPBF
16 parametri
Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente)
100V
Tensione drain-source (Vds)
100V
Rds sulla resistenza attiva
0.044 Ohms
Alloggiamento
TO220AB
Corrente di assorbimento massima
33A
Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua)
33A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
130W
Polarità
MOSFET N
Potenza
130W
Tensione di azionamento
10V
Tensione gate/source Vgs max
-20V
Tipo di canale
N
Tipo di montaggio
THT
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon
Quantità minima
5