Transistor a canale N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiamento: TO220AB. Caratteristiche: -. Corrente di assorbimento massima: 14A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 14A. Informazioni: -. MSL: -. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Polarità: MOSFET N. Potenza: 75W. Serie: -. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: VISHAY IR. Quantità minima: 5. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:35