Transistor a canale N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V
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Transistor a canale N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 360pF. Carica: 16.7nC. Condizionamento: tubus. Costo): 150pF. DRUCE CORRENTE: 9.7A. Diodo Trr (min.): 110 ns. Funzione: Carica di input bassa. ID (min): 25uA. Id(imp): 37A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Polarità: unipolari. Potenza: 48W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 3.1K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 8.8 ns. Td(spento): 19 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 100V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00