Transistor a canale N IRF3710Z, TO220, TO220AB. Alloggiamento: TO220, TO220AB. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 82nC. Condizionamento: tubus. DRUCE CORRENTE: 59A. Polarità: unipolari. Potenza: 160W. Resistenza termica abitativa: 920mK/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 100V. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:15