Transistor a canale N IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 150V. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. : migliorato. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 133.3nC. Confezione: tubus. Corrente di assorbimento massima: 43A. DRUCE CORRENTE: 43A. Polarità: unipolari. Potenza: 200W. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 150V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 06:37