Transistor a canale N IRF3205ZPBF, TO-220AB, 55V, 0.0049 Ohm. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 55V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0049 Ohm. : migliorato. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 110nC. Confezione: tubus. Corrente di assorbimento massima: 75A. DRUCE CORRENTE: 75A. Polarità: unipolari. Potenza: 170W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:15