Transistor a canale N IRF3205PBF, TO220AB, 55V, 55V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Assemblaggio/installazione: THT. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Capacità del gate Ciss [pF]: 3247pF. Caratteristiche: -. Carica: 97.3nC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. DRUCE CORRENTE: 110A. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 98A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 110A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura del produttore: IRF3205PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Polarità: unipolari. Potenza: 150W. Resistenza termica abitativa: 1K/W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. RoHS: sì. Serie: HEXFET. Tecnologia: HEXFET®. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di azionamento: 10V. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tensione drain-source: 55V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: N-MOSFET, HEXFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:06