Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.87€ | 3.50€ |
5 - 9 | 2.73€ | 3.33€ |
10 - 24 | 2.64€ | 3.22€ |
25 - 49 | 2.58€ | 3.15€ |
50 - 57 | 2.53€ | 3.09€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.87€ | 3.50€ |
5 - 9 | 2.73€ | 3.33€ |
10 - 24 | 2.64€ | 3.22€ |
25 - 49 | 2.58€ | 3.15€ |
50 - 57 | 2.53€ | 3.09€ |
Transistor a canale N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF2805. Transistor a canale N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.9M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 5110pF. Costo): 1190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione rapida, applicazioni automobilistiche. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 700A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 68 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 18:25.
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