Transistor a canale N IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Transistor a canale N IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.36€
5-24
2.07€
25-49
1.86€
50-99
1.69€
100+
1.49€
Quantità in magazzino: 69

Transistor a canale N IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0078 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5600pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 890pF. Diodo Trr (min.): 110 ns. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. ID (min): 20uA. Id(imp): 520A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 150 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia del diodo: 1.3V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00

Documentazione tecnica (PDF)
IRF1407
33 parametri
ID (T=100°C)
92A
ID (T=25°C)
130A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.0078 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
75V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
5600pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
890pF
Diodo Trr (min.)
110 ns
Funzione
AUTOMOTIVE MOSFET
ID (min)
20uA
Id(imp)
520A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
330W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
11 ns
Td(spento)
150 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di soglia del diodo
1.3V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier