Transistor a canale N IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0046 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5480pF. Carica: 170nC. Condizionamento: tubus. Costo): 1210pF. DRUCE CORRENTE: 133A. Diodo Trr (min.): 88 ns. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. ID (min): 20uA. Id(imp): 680A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Polarità: unipolari. Potenza: 200W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 450mK/W. RoHS: sì. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 130 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00