Transistor a canale N IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223. Rds sulla resistenza attiva: 6m Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-SOT223. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Condizionamento: rotolo. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6.9W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00