Transistor a canale N IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Rds sulla resistenza attiva: 2.1M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO263-7. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Condizionamento: rotolo. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: OptiMOS Power. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00