Transistor a canale N IKW40N120H3, TO-247, 40A, TO-247N, 1200V. Alloggiamento: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247N. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2330pF. Corrente del collettore: 80A. Costo): 185pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 200 ns. Diodo al germanio: no. Diodo incorporato: sì. Funzione: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: K40H1203. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 483W. Potenza: 483W. RoHS: sì. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 290 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione collettore-emettitore: 1200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.05V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.8V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor IGBT. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35