Transistor a canale N IHW20T120, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1460pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 40A. Costo): 78pF. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: Soft Switching Applications. Ic(impulso): 60A. Marcatura sulla cassa: H20T120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. RoHS: sì. Td(acceso): 50 ns. Td(spento): 560 ns. Tecnologia: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35