Transistor a canale N IHW20N120R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO247-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1340pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 40A. Costo): 43pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 90 ns. Diodo al germanio: no. Funzione: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Ic(impulso): 60A. Marcatura sulla cassa: H20MR5. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 288W. RoHS: sì. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Td(acceso): 260 ns. Td(spento): 350 ns. Tecnologia: TRENCHSTOP TM technology. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.55V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.75V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35