Transistor a canale N IHW15N120R3, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1165pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 30A. Costo): 40pF. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: Cucina induttiva. Ic(impulso): 45A. Marcatura sulla cassa: H15R1203. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 254W. RoHS: sì. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(spento): 300 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.48V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.75V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35