Transistor a canale N IGW75N60H3, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4620pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 140A. Costo): 240pF. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Funzione: VCEsat molto basso. Ic(impulso): 225A. Marcatura sulla cassa: G75H603. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 428W. RoHS: sì. Spec info: Transistor IGBT con tecnologia Trench and Fieldstop. Td(acceso): 31 ns. Td(spento): 265 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tempo di consegna: KB. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.25V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 25. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35