Transistor a canale N HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v

Transistor a canale N HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.60€
5-49
1.32€
50-99
1.12€
100+
1.00€
Quantità in magazzino: 95

Transistor a canale N HUF76121D3S, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-252AA ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 850pF. Costo): 465pF. Diodo Trr (min.): 58 ns. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 76121D. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 6 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: Intersil. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19

Documentazione tecnica (PDF)
HUF76121D3S
29 parametri
ID (T=100°C)
20A
ID (T=25°C)
20A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.017 Ohms
Alloggiamento
D2PAK ( TO-263 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
D2PAK ( TO-252AA )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
850pF
Costo)
465pF
Diodo Trr (min.)
58 ns
Funzione
controllo del cancello tramite livello logico
ID (min)
1uA
Marcatura sulla cassa
76121D
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
75W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
6 ns
Td(spento)
45 ns
Tecnologia
UltraFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
16V
Prodotto originale del produttore
Intersil