Transistor a canale N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Transistor a canale N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.90€
5-49
0.72€
50-99
0.60€
100+
0.54€
Quantità in magazzino: 50

Transistor a canale N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 250pF. Costo): 100pF. Diodo Trr (min.): 45 ns. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 75307D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 35 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Harris. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19

Documentazione tecnica (PDF)
HUF75307D3
28 parametri
ID (T=25°C)
13A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.09 Ohms
Alloggiamento
TO-251 ( I-Pak )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
250pF
Costo)
100pF
Diodo Trr (min.)
45 ns
ID (min)
1uA
Marcatura sulla cassa
75307D
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
35W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
7 ns
Td(spento)
35 ns
Tecnologia
UltraFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Harris