Transistor a canale N GT35J321, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Alloggiamento: TO-3P( N )IS. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente del collettore: 37A. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta potenza. Ic(impulso): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Td(acceso): 0.33 ns. Td(spento): 0.51 ns. Temperatura: +150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19