Transistor a canale N GT30J322, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P( GCE ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente del collettore: 30A. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: Commutazione dell invertitore di risonanza di corrente. Ic(impulso): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 400 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tipo di canale: N. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19