Transistor a canale N GJ9971, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor a canale N GJ9971, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.30€
5-24
1.07€
25-49
0.92€
50+
0.86€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 20

Transistor a canale N GJ9971, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1700pF. Costo): 160pF. Diodo Trr (min.): 37 ns. Funzione: Transistor con controllo a livello logico. ID (min): 1uA. Id(imp): 80A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: IDM--80A pulse. Td(acceso): 9 ns. Td(spento): 26 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Gtm Corporatoin. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19

Documentazione tecnica (PDF)
GJ9971
30 parametri
ID (T=100°C)
16A
ID (T=25°C)
25A
Idss (massimo)
25uA
Rds sulla resistenza attiva
0.036 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1700pF
Costo)
160pF
Diodo Trr (min.)
37 ns
Funzione
Transistor con controllo a livello logico
ID (min)
1uA
Id(imp)
80A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
39W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
IDM--80A pulse
Td(acceso)
9 ns
Td(spento)
26 ns
Tecnologia
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Gtm Corporatoin

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