Transistor a canale N FS75R12KE3GBOSA1, 75A, altro, altro, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Alloggiamento: altro. Custodia (secondo scheda tecnica): altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5300pF. Corrente del collettore: 100A. Dimensioni: 122x62x17.5mm. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Funzione: ICRM 150A Tp=1ms. Ic(impulso): 150A. Marcatura sulla cassa: FS75R12KE3G. Nota: 6x IGBT+ CE Diode. Numero di terminali: 35. Pd (dissipazione di potenza, massima): 355W. RoHS: sì. Td(acceso): 26us. Td(spento): 42us. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.15V. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Eupec/infineon. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19