Transistor a canale N FS10TM12, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Ifsm--30App. Id(imp): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Quantità per scatola: 1. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19