Transistor a canale N FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Transistor a canale N FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.66€
5-24
0.58€
25-49
0.50€
50-99
0.45€
100+
0.38€
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Transistor a canale N FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 240pF. Costo): 36pF. Diodo Trr (min.): 90 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 3.4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.2W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 15 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19

FQT4N20LTF
28 parametri
ID (T=100°C)
0.55A
ID (T=25°C)
0.85A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
1.1 Ohms
Alloggiamento
SOT-223 ( TO-226 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-223
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
240pF
Costo)
36pF
Diodo Trr (min.)
90 ns
ID (min)
1uA
Id(imp)
3.4A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2.2W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
7 ns
Td(spento)
15 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Fairchild