Transistor a canale N FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 9.3 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 130pF. Costo): 19pF. Diodo Trr (min.): 190 ns. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FQT1N60C. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Protezione GS: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 13 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19