Transistor a canale N FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3170pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 1150pF. Diodo Trr (min.): 70 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. Id(imp): 300A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 175 ns. Tecnologia: DMOS, QFET® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41