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Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1 - FQP50N06

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1 - FQP50N06
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Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1 - FQP50N06. Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Custodia (standard JEDEC): 1. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQP50N06. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 12:25.

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STP65NF06

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Transistor a canale N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=2...
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Transistor a canale N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0115 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 70us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 240A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P65NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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