Transistor a canale N FQAF11N90C, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 900V, 4.4A, 7A, 100uA, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.91 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. C(in): 2530pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 215pF. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa. ID (min): 10uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 7.2A. Id(imp): 28A. Marcatura del produttore: FQAF11N90C. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 60 ns. Td(spento): 130 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41