Transistor a canale N FQA70N10, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V

Transistor a canale N FQA70N10, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.91€
5-14
3.46€
15-29
3.20€
30-59
3.00€
60+
2.67€
Quantità in magazzino: 21

Transistor a canale N FQA70N10, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2500pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 720pF. Diodo Trr (min.): 110 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. Id(imp): 280A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: carica gate bassa (tipica 85 nC). Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 130 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41

Documentazione tecnica (PDF)
FQA70N10
33 parametri
ID (T=100°C)
49.5A
ID (T=25°C)
70A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.019 Ohms
Alloggiamento
TO-3PN ( 2-16C1B )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3PN
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2500pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
720pF
Diodo Trr (min.)
110 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
1uA
Id(imp)
280A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
214W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
carica gate bassa (tipica 85 nC)
Td(acceso)
30 ns
Td(spento)
130 ns
Tecnologia
Tecnologia DMOS
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
30
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
25V
Prodotto originale del produttore
Fairchild