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Transistor a canale N, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V - FQA24N50

Transistor a canale N, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V - FQA24N50
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Transistor a canale N, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V - FQA24N50. Transistor a canale N, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.156 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 3500pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 90 nC). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 96A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 80 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 09:25.

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FQA24N60

FQA24N60

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Transistor a canale N, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 4200pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 470 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 90 nC). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 94A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V
FQA24N60
Transistor a canale N, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 4200pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 470 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 90 nC). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 94A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V
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