Transistor a canale N FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2-PAK. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 940pF. Corrente del collettore: 40A. Costo): 110pF. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Funzione: inverter solare, UPS, saldatrice, PFC. Ic(impulso): 60A. Marcatura sulla cassa: FGB20N60SF. Nota: Transistor MOS IGBT a canale N. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 90 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.4V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Tipo di canale: N. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00