Transistor a canale N FGA60N65SMD, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 60A, TO-3PN, 650V. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Ic(T=100°C): 60A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2915pF. Carica: 284nC. Collector Peak Current IP [A]: 180A. Confezione: tubus. Corrente collettore Ic [A]: 60A. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Costo): 270pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 47ms. Diodo al germanio: no. Emettitore - Tensione del gate: ±20V. Funzione: inverter solare, UPS, stazione di saldatura, PFC, telecomunicazioni, ESS. Ic(impulso): 180A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. Potenza: 300W. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 104 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione (collettore - emettitore): 650V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: IGBT. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00