Transistor a canale N FDV303N, SOT-23, 25V
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Transistor a canale N FDV303N, SOT-23, 25V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.68A. Marcatura del produttore: 303. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1V. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 03/11/2025, 05:20