Transistor a canale N FDV301N, SOT23, 25V, 25V. Alloggiamento: SOT23. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 25V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Capacità del gate Ciss [pF]: 9.5pF. Caratteristiche: -. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 0.22A. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 0.22A. Informazioni: -. Marcatura del produttore: 301. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Polarità: MOSFET N. RDS su (max) @ id, vgs: 9 Ohms / 0.2A / 2.7V. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 8 ns. RoHS: sì. Serie: -. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 301. Tensione gate/source Vgs max: 8V. Tipo di montaggio: SMD. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27