Transistor a canale N FDP18N50, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2200pF. Costo): 330pF. Diodo Trr (min.): 500 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. Id(imp): 72A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 235W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Td(acceso): 55 ns. Td(spento): 95 ns. Tecnologia: N-Channel MOSFET (UniFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00