Transistor a canale N FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor a canale N FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.04€
5-49
0.86€
50-99
0.77€
100+
0.67€
Quantità in magazzino: 25

Transistor a canale N FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 880pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 195pF. Diodo Trr (min.): 23 ns. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 39 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 2500. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:19

Documentazione tecnica (PDF)
FDD8878
30 parametri
ID (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
40A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.011 Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
880pF
Condizionamento
rotolo
Costo)
195pF
Diodo Trr (min.)
23 ns
Funzione
Convertitore di tensione CC/CC
ID (min)
1uA
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
7 ns
Td(spento)
39 ns
Tecnologia
Power Trench MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
2500
Vgs(esimo) min.
1.2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Fairchild