Transistor a canale N FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=100°C): -. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0087 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263AB. Voltaggio Vds(max): 40V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1970pF. Costo): 250pF. Diodo Trr (min.): 28 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): -. Id(imp): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 28 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:47