Transistor a canale N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 460pF. Costo): 55pF. Diodo Trr (min.): 350 ns. Funzione: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. ID (min): 0.1uA. Id(imp): 11.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 8 ns. Td(spento): 50 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Siemens. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:57