Transistor a canale N BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.018 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): P-TO263-3-2. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1220pF. Costo): 410pF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: SIPMOS, PowerMosfet. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:57