Transistor a canale N BTS50010-1TAE, D²-PAK/7, TO-263, 18V. Alloggiamento: D²-PAK/7. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 18V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Capacità del gate Ciss [pF]: -. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 40A. Marcatura del produttore: S50010E. Numero di terminali: 6. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: -. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: -. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 20:56