Transistor a canale N BTS132, TO-220AB, 60V
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Transistor a canale N BTS132, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1400pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 24A. Marcatura del produttore: BTS132. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. RoHS: no. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:37
BTS132
16 parametri
Alloggiamento
TO-220AB
Tensione drain-source Uds [V]
60V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.055 Ohms @ 12A
Capacità del gate Ciss [pF]
1400pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
75W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
24A
Marcatura del produttore
BTS132
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
250 ns
RoHS
no
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
40 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
2.5V
Prodotto originale del produttore
Infineon