Transistor a canale N BSS138-SS, SOT-23, 50V

Transistor a canale N BSS138-SS, SOT-23, 50V

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Transistor a canale N BSS138-SS, SOT-23, 50V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Capacità del gate Ciss [pF]: 27pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 200mA. Marcatura del produttore: SS. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 36ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27

BSS138-SS
16 parametri
Alloggiamento
SOT-23
Tensione drain-source Uds [V]
50V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
6 Ohms @ 0.22A
Capacità del gate Ciss [pF]
27pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
0.36W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
200mA
Marcatura del produttore
SS
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
36ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
5 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
2V
Prodotto originale del produttore
Onsemi (fairchild)