Transistor a canale N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor a canale N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0896€
50-99
0.0777€
100-199
0.0709€
200+
0.0605€
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Transistor a canale N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 0.22A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 27pF. Costo): 13pF. DRUCE CORRENTE: 220mA. ID (min): 0.5uA. Id(imp): 0.88A. Marcatura sulla cassa: SS. Nota: serigrafia/codice SMD SS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Polarità: unipolari. Potenza: 360mW. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Modalità di miglioramento del livello logico. Td(acceso): 2.5 ns. Td(spento): 20 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione drain-source: 50V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

Documentazione tecnica (PDF)
BSS138
35 parametri
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
ID (T=25°C)
0.22A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.7 Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio Vds(max)
50V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
27pF
Costo)
13pF
DRUCE CORRENTE
220mA
ID (min)
0.5uA
Id(imp)
0.88A
Marcatura sulla cassa
SS
Nota
serigrafia/codice SMD SS
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.36W
Polarità
unipolari
Potenza
360mW
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Modalità di miglioramento del livello logico
Td(acceso)
2.5 ns
Td(spento)
20 ns
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione drain-source
50V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
1.8V
Vgs(esimo) min.
0.8V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Fairchild
Quantità minima
10

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