Transistor a canale N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor a canale N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
10-49
0.0591€
50-99
0.0516€
100-199
0.0467€
200+
0.0399€
Quantità in magazzino: 2392
Min.: 10

Transistor a canale N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.2A. Rds sulla resistenza attiva: 1.4 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 50pF. Condizionamento: rotolo. Costo): 25pF. ID (min): 0.5uA. Id(imp): 1A. Marcatura sulla cassa: SS. Nota: serigrafia/codice SMD SS. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Peso: 0.008g. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Modalità di miglioramento del livello logico. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 20 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 3000. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31

BSS138-7-F
33 parametri
ID (T=25°C)
0.2A
Rds sulla resistenza attiva
1.4 Ohms
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaggio Vds(max)
50V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
50pF
Condizionamento
rotolo
Costo)
25pF
ID (min)
0.5uA
Id(imp)
1A
Marcatura sulla cassa
SS
Nota
serigrafia/codice SMD SS
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.3W
Peso
0.008g
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Modalità di miglioramento del livello logico
Td(acceso)
20 ns
Td(spento)
20 ns
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
3000
Vgs(esimo) massimo
1.5V
Vgs(esimo) min.
0.5V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Diodes Inc
Quantità minima
10