Transistor a canale N BSS123-ONS, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 170mA. Idss (massimo): 46.4k Ohms. Rds sulla resistenza attiva: 6 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 20pF. Costo): 9pF. Diodo Trr (min.): 11 ns. Equivalenti: BSS123-7-F. Funzione: serigrafia/codice SMD SA. ID (min): 10uA. Id(imp): 680mA. Marcatura sulla cassa: SA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 20 ns. Td(spento): 40 ns. Tecnologia: Modalità di miglioramento del livello logico del transistor a effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.6V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1.6V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31